成分:主要成分是α-氧化鋁(α-Al?O?),由優(yōu)質(zhì)氧化鋁粉經(jīng)高溫熔煉后冷卻制得。
特性:
高硬度:莫氏硬度達到9,僅次于金剛石和碳化硅,研磨效率高。
高純度:半導體級要求極高,通常要求Al?O?含量 > 99.6%,甚至99.9%以上,嚴格控制Fe、Si、Na等磁性物質(zhì)和重金屬雜質(zhì)含量。
良好的化學穩(wěn)定性:在酸、堿環(huán)境中性質(zhì)穩(wěn)定,不易與被加工材料發(fā)生化學反應。
鋒利的棱角:顆粒具有多角形結構,在研磨和拋光過程中能產(chǎn)生有效的微切削作用。
可控的粒度分布:可以通過精密的分級技術得到粒度分布極窄的微粉,確保加工表面
的均勻性。
化學成分
Al2O3 | Fe2O3 | Na2O | MgO | K2O | CaO | SiO2 |
≥ 99.50% | ≤0.05% | ≤0.26% | ≤0.01% | ≤0.02% | ≤0.04% | ≤0.06% |
物理特性
莫氏硬度 | 比重 | 堆積密度 | PH值 | 耐火度 |
9.0 | ≥3.90g/cm3 | 1.75-1.95g/cm3 | 7.0 | 2100℃ |
--晶圓研磨(Wafer Lapping & Grinding)
目的:在晶圓切片后,去除切片造成的表面損傷層和變形,并精確控制晶圓的厚度和平整度(TTV、Bow、Warp)。
如何使用:將白剛玉微粉與冷卻液(通常是水或油基)混合制成研磨液(Slurry),通過研磨機對晶圓表面進行機械研磨。在這里,白剛玉主要發(fā)揮其高硬度和切削力。
--晶圓拋光(Wafer Polishing)
目的:在研磨之后,進一步去除微小的表面缺陷,獲得超平坦、無損傷的完美鏡面,為光刻等后續(xù)工藝提供基礎。拋光分為粗拋(CMP前)和精拋。
如何使用:同樣以拋光液的形式使用。雖然最終的精拋(CMP)通常使用膠體二氧化硅,但白剛玉微粉因其出色的切削能力,常被用于粗拋階段,快速去除研磨留下的較深損傷層。
--芯片減?。―ie Backgrinding)
目的:在晶圓上制造出成千上萬個芯片(Die)后,為了滿足封裝超薄化的要求(如智能手機),需要將晶圓背面磨薄。
如何使用:將晶圓背面貼在膠膜上,使用含有白剛玉微粉的金剛石砂輪進行高速磨削。白剛玉是制造這些金剛石砂輪的重要輔助磨料,能增強其磨削效能。
其他應用
石英坩堝與石墨件加工:用于制造單晶硅的石英坩堝和石墨熱場,在生產(chǎn)前后都需要進行打磨和清理,白剛玉微粉是理想的磨料。
精密零部件清洗:用于對精密零部件進行噴砂處理,去除表面氧化物和污染物而不損傷基體。